Стереодекодер системы с полярной модуляцией

Стереодекодер (рис. 7.8) может работать в составе УКВ- * приемника в отечественном частотном диапазоне (УКВ-1). Он выполнен на микросхеме К174ХА35, имеющей 18-выводный корпус. На принципиальной схеме устройства изображена структурная схема этой БИС. Подробно работа этой микросхемы описана в [4], здесь же кратко охарактеризуем особенность внешних цепей, которых не так много.

Стереодекодер работает по принципу временного разделения каналов. Коммутация стереосигналов осуществляется в детекторе разностного стереосигнала (А-Б), включенном между входами эмиттерных повторителей 3 и 4. На входе устройства предусмотрена корректирующая цепь, подключаемая к

выводам 5, 8 и 9 микросхемы DA1. Чтобы получить максимальное разделение стереосигналов (до 60 дБ), все элементы R2, R4, С7, R7, R8 корректирующей цепи должны иметь допуск не хуже 1%.

Резистором R3 устанавливается частота ГУН, при которой происходит гарантированный захват под несу щей. Частота ГУН выбрана равной 250 кГц. Конденсаторы С9, С12 вместе со встроенными внутри микросхемы DA1 резисторами сопротивлением 100 кОм образуют цепи коррекции предискажений с постоянной времени 50 мкс.

Назначение остальных внешних элементов следующее. Конденсатор С1 разделительный, установлен на входе стерео- декодера. Не следует превышать максимальный уровень входного комплексного стереосигнала (300 мВ) на входе микросхемы, так как в этом случае резко увеличиваются нелинейные искажения на выходе стереодекодера. Цепь C4R5C5 — фильтр нижних частот системы фазовой автоподстройки частоты. Элементы C2C3R1 образуют корректирующий фильтр верхних частот, необходимый для получения удвоенной частоты системы ФАПЧ, на которой происходит работа микросхемы.

Конденсатор С8, подключаемый к выводу 4 микросхемы, образует ФНЧ, а цепь R9C13 — блокировочная. Конденсатор С14 установлен по цепи питания микросхемы. Желательно питать стереодекодер стабилизированным напряжением, так как разделение каналов максимально при питающем напряжении 6 В и довольно резко ухудшается при его изменении в ту или иную сторону. Справочные данные указывают допустимый диапазон питающих напряжений стереодекодера в режиме «Стерео» 5,4…6,6 В.

Светодиод HL1 индицирует режим стереоприема, переключателе SA1 позволяет принудительно переходить в режим «Моно». Вывод 18 микросхемы используется для контроля частоты 62,5 кГц.

Возможный вариант печатной платы приведен на рис. 7.9, а, а монтаж элементов выполнен по схеме рис. 7.9, б. Перед монтажом отберите элементы для стереодекодера. Это касается резисторов R2, R4, R7, R8 и конденсаторов С6, С7. Оказалось, что эти элементы довольно легко выбрать из деталей с допуском 5 и даже 10%. Можно найти резисторы несколько боль

шего номинала, а затем для получения точного значения сопротивления включить параллельно ему резистор в несколько сотен килоом. Такой резистор удается отыскать довольно быстро. Конденсатор С6 должен иметь небЬлыной ТКЕ. Печатная

плата рассчитана на установку резисторов МЛТ-0,125, неполярных конденсаторов К10-17, оксидных — К50-35.

Основные характеристики стереодекодера следующие:

Номинальное напряжения питания, В………………………… 6

Потребляемый ток, мА, в режиме стерео/моно….. 11/4,5

Минимальное сопротивление нагрузки, кОм……………. 47

Коэффициент разделения стереоканалов

в режиме «Стерео», дБ, не менее…………………….             34

Разбаланс по выходному напряжению

между сигналами каналов, дБ, не более……………………… 2

Коэффициент гармоник в режиме «Стерео», %, не более . . 0,5 Отношение сигнал/шум в режиме «Стерео», дБ, не менее . . 60

Выходное сопротивление, кОм………………………………… 1,5

Уровень подавления сигнала поднесущей частоты

31,25 кГц в режиме «Стерео», дБ, не менее………………. 20

Уровень подавления второй и третьей гармоник

сигнала поднесущей частоты 62,5 и 93,75 кГц

в режиме «Стерео», дБ, не менее………………………………. 40

Настройка устройства проста. Подключив стереодекодер к радиоприемнику и настроив его на станцию, работающую в стереорежиме, вращают подстроечный резистор R3 до зажигания индикатора HL1 «Стерео». Даже такая простая настройка оказывается достаточной. Можно воспользоваться инструментальным методом, контролируя с помощью частотомера частоту 62,5 кГц на выводе 18 микросхемы.

Глава 8. Мультивибратор в радиолюбительских устройствах

Без конструкций на основе автоколебательного мультивибратора редко обходится практически любое периодическое радиотехническое издание. Мы столкнулись с ним уже в самом начале книги (см., например, рис. 2.17, далее он нам понадобится для рассмотрения). Кратко напомним соотношения, необходимые для учета особенностей расчета элементов мультивибратора.

Обычно элементы в плечах мультивибратора делают одинаковыми, т. е. R6 = R2 = R3, RK = Rl = R4, С = CI = С2. Напряжение питания мультивибратора выбирают исходя из допущения ип»ибэ
нас»икэ нас, где ибэ нас — напряжение насыщения база-эмиттер, UK3 Hac — напряжение насыщения коллектор-эмиттер. Для маломощных кремниевых транзисторов ибЭнас = 0,7…0,8 В, икэНас = 0Д…1 В. При напряжении питания 7… 10 В частота автоколебаний мультивибратора а период

Обратите внимание, что при сделанных предположениях частота и период зависят только от пассивных компонентов. Дрейф параметров транзисторов и изменение напряжения питания не оказывают влияния на частоту, генерируемую схемой.

Если элементы в плечах мультивибратора различны, получаем следующие длительности полупериодов колебаний: tl = R3C21n2 — для транзистора VT1, t2 = R2Clln2 — для транзистора VT2.

Кроме указанных допущений для правильной работы мультивибратора обычно предполагают, что обратные токи транзисторных переходов пренебрежимо малы. Это справедливо для переходов кремниевых транзисторов. Еще полагают, что

Из последних двух требований вытекает, что минимальный коэффициент передачи транзисторов, используемых в мультивибраторе, должен быть

Впрочем, для современных транзисторов это условие всегда выполняется.

Максимальная частота, генерируемая схемой, определяется параметрами ReC, паразитными емкостями в цепи коллекторов транзисторов и частотными свойствами самих транзисторов. Для выбора минимального значения емкости конденсаторов С1 и С2 (CI = С2 = С) справедливы следующие приближенные выражения:

где fT,— граничная частота усиления транзисторов VT1 и VT2 в схеме с общим эмиттером, См — емкость монтажа.

Например, при fT = 250 МГц (транзисторы КТ315) для RK = 1 кОм, См = 10 пФ получаем минимальное значение емкости конденсаторов С ~ 10,64 пФ. Из второго соотношения получаем минимальное значение емкости конденсаторов С = 100 пФ, так как она должна быть минимум на порядок больше емкости монтажа. Минимальное значение Re = 10RK =10 кОм, а максимально достижимая частота колебаний мультивибратора f0 = 720 кГц.

Юному радиолюбителю для прочтения с паяльником / В. В. Мосягин