Классификация и обозначение транзисторов

Кроме того, транзисторы различают по мощ­ности и частоте.

По максимальной мощности Ркмакс, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы

а по частоте — на

В настоящее время действует система обозначения транзисторов, состоящая из четырех элементов

• Первый элемент — буква или циф­ра, обозначающая материал
  •  Г или 1 — германий или его соедине­ния;
  • К или 2 — кремний или его соединения;
  • А или 3 — соединения галлия
• второй элемент — буква, указывающая класс прибора
  • Т — биполярные транзисторы;
  • П — полевые транзисторы
• третий элемент — цифра, указывающая назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки в соответствии с табл. 107;
• четвертый элемент — буква, означающая разновидность типа (деление на параметрические группы).

Таблица 107

Обозначение транзисторов, разработанных до 1964 г, состоит из трех элементов

При монтаже транзисторов необходимо соблюдать следующие правила

Крепление транзисторов производят за корпус. Изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм от проходного изолятора (ес­ли нет других указаний), изгиб жестких выводов мощных транзи­сторов запрещается.

Пайку выводов осуществляют не ближе 10 мм от корпуса при­бора. При этом мощность паяльника должна быть не более 60 Вт, время пайки — не более 3 с, а температура — не выше 200 °С. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока че­рез транзистор и обеспечить надежный теплоотвод.

Таблица 108

Транзисторы нельзя располагать вблизи тепловыделяющих эле-ментов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.

При эксплуатации транзисторов надо выполнять следующие правила.

Полярность напряжения внешнего источника питания, подклю­чаемого к электродам транзистора, следует выбирать с учетом струк­туры транзистора и его рабочей схемы. При подключении транзи­стора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, по­следним — вывод коллектора, а при отключении — в обратном по­рядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отклю­ченной базой. Для увеличения надежности и долговечности приборов рабочие надряжечия, гоки, мощность и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их значений). Не разре­шается использовать транзисторы в совмещенных предельных ре­жимах хотя бы по двум параметрам (например, по току и напря­жению). С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие ди­оды. Недопустима проверка схем на полупроводниковых приборах омметрами или другими приборами, могущими создавать перегруз­ки для диодов, транзисторов.