Транзисторы

В группу этих полупроводниковых приборов входят два вида транзисторов биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как-то отличить от вторых, часто называют обычными транзисторами. Они являются транзисторами наи­более широкого применения. С них я и начну рассказ о транзисторах.

В упрощенном виде транзистор представляет собой пластинку полупро­водника с тремя, как в слоеном пироге, чередующимися областями разной электропроводности (рис. 89), которые образуют два р-п перехода. У каждой области свой контактный вывод. Две крайние области обладают проводи­мостью одного типа, средняя — проводимостью другого типа. Если в крайних областях преобладает дырочная проводимость, а в средней электронная (рис. 89, а), то такой прибор называют транзистором структуры р-п-р. У транзисто­ра структуры n-p-n наоборот, по краям расположены области с электронной проводимостью, а между ними — область с дырочной проводимостью (рис. 89, б).

Прикрой листком бумаги любую из крайних областей транзисторов, изо­браженных схематически на рис. 89. Что получилось? Оставшиеся две об­ласти есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую край­нюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных на­встречу друг другу. Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область (на рис. 89 — нижняя) — эмиттером, вторую край­нюю (на рис. 89 — верхняя) —коллектором. Это три электрода транзистора. Во время работы транзистора его эмиттер вводит (эмиттирует) в базу дырки (в транзисторе структуры р-п-р) или электроны (в транзисторе структуры п-р-п\ коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером. Различие в обозначениях транзисторов разных структур заключается лишь в на­правлении стрелки эмиттера: в транзисторах р-п-р она обращена в сторону базы, а в транзисторах п-р-п — от базы.

* Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer- преобразователь и resistor — сопротивление.

Электронно-дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор струк­туры р-п-р, берут тонкую пластинку германия с электронной проводимостью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластинки, образуя в ней две области p-типа — эмиттер я коллектор, а между ними получается очень тонкая (несколько микрон) про­слойка полупроводника n-типа — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными. Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на рис. 90.

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм» Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный про­волочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к про­волочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выво­дами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от меха­нических повреждений и влияния свега. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква М в обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква П — первоначальная буква слова «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие раз­новидность транзистора данной группы.

Существуют другие способы изготовления транзисторов, например диф­фузионно-сплавной (рис. 91). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластинка исходного полупроводника. На поверхность пластинки наплавляют очень близко один от другого два малень­ких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полу­проводника. При этом один шарик (на рис. 91 — правый) образует в коллекто­ре тонкую базовую область, а второй шарик (на рис. 91 — левый) создает в ней эмиттерную область.

Наряду с этой системой продолжает действовать и прежняя система обоз­начения транзисторов, например П27, П401, П213 и т. д. Объясняется это тем, что эти или подобные им транзисторы были разработаны ранее. Ос­новные параметры наиболее широко используемых радиолюбителями транзисто­ров ты найдешь в прилож. 4. А внешний вид некоторых из них и расположение выводов транзисторов ты видишь на рис. 92.

Рис. 92. Внешний вид некоторых транзисторов.

Маломощный низкочас­тотный транзистор ГТ109 (структуры р-п-р), показанный на этом рисунке, имеет в диаметре всего 3,4 мм, его масса 0,1 г. Транзисторы этого типа пред­назначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в электронных часах, в электронных медицинских приборах.

Диаметр транзисторов ГТ309 (р-п-р) 7,4 мм, масса 0,5 г. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы КТ315 (п-р-п) вы­пускают в пластмассовых корпусах. Размеры корпуса 7x9x3 мм, масса 0,2 г. Эти маломощные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Транзисторы МП39 — МП42 (р-п-р) — самые массовые среди маломощных низ­кочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но струк­туры п-р-п, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих тран­зисторов 11,5 мм, масса — не более 2 г. Наиболее широко их используют в усилителях колебаний звуковой частоты.

Транзисторы П401 — П403 (р-п-р) — маломощные высокочастотные транзис­торы. Диаметр корпуса 11,5 мм, масса — не более 2 г. Их очень широко используют для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и в любительских радиовещательных приемниках. Точно так же выглядят аналогичные нм маломощные высокочастотные транзисторы П416, П422, П423 структуры р-п-р.

Транзистор ГТ213 (р-п-р) — представитель мощных низкочастотных транзисто­ров, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и неко­торых других, 24 мм, масса — не более 20 г. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Так как эти транзисторы во время ра­боты нагреваются, их часто ставят еще на специальные ребристые теплоот­воды с увеличенными поверхностями охлаждения.

Как же работает транзистор?

Рассмотри хорошенько рис. 93. Слева на этом рисунке ты видишь упро­щенную схему усилителя на транзисторе структуры р-п-р и иллюстрации, пояс­

няющие сущность работы этого усилителя. Здесь, как и на предыдущих ри­сунках, дырки областей р-типа условно изображены кружками, а электроны области n-типа — черными шариками таких же размеров. Запомни наименования р-п переходов: между коллектором и базой — коллекторный, между эмит­тером и базой — эмиттерный.

Между коллектором и эмиттером включена батарея Бк (коллекторная), создающая на коллекторе по отношению к эмиттеру отрицательное напряжение порядка нескольких вольт. В эту же цепь, именуемую коллекторной, включена нагрузка Rн которой может быть телефон или иной прибор — в зависимости от назначения усилителя.

Если база ни с чем не будет соединена, в коллекторной цепи появится очень слабый ток (десятые доли миллиампера), так как при такой полярности включения батареи Бк сопротивление коллекторного р-п перехода окажется очень большим; для коллекторного перехода это будет обратный ток. Ток коллек­торной цепи Iк резко возрастает, если между базой и эмиттером включить элемент смещения Бс, подав на базу по отношению к эмиттеру небольшое, хотя бы десятую долю вольта, отрицательное напряжение. Вот что при этом произойдет. При таком включении элемента Бс (имеется в виду, что зажимы для подключения источника усиливаемого сигнала, обозначенного на схеме знаком — синусоидой, соединены накоротко) в этой новой цепи, называемой цепью базы, пойдет некоторый прямой ток Iб; как и в диоде, дырки в эмит­тере и электроны в базе будут двигаться встречно и нейтрализоваться, обусловливая ток через эмиттерный переход.

Но судьба большей части дырок, вводимых из эмиттера в базу, иная, нежели исчезнуть при встрече с электронами. Дело в том, что при изготовлении транзисторов структуры р-п-р насыщенность дырок в эмиттере (и коллекторе) делают всегда большей, чем насыщенность электронов в базе. Благодаря этому только небольшая часть дырок (меньше 10%), встретившись с электронами, исчезает. Основная же масса дырок свободно проходит в базу, попадает под более высокое отрицательное напряжение на коллекторе, входит в коллектор и в общем потоке с его дырками перемещается к его отрицательному контакту. Здесь они нейтрализуются встречными электронами, вводимыми в коллектор отрицательным полюсом батареи Бк. В результате сопротивление всей коллек­торной цепи уменьшается и в ней течет ток, во много раз превышающий об­ратный ток коллекторного перехода. Чем больше отрицательное напряжение на базе, тем больше дырок вводится из эмиттера в базу, тем значительнее ток коллекторной цепи. И, наоборот, чем меньше отрицательное напряжение на базе, тем меньше и ток коллекторной цепи транзистора.

А если в цепь базы последовательно с источником постоянного напря­жения, питающего эту цепь, вводить переменный электрический сигнал? Тран­зистор усилит его.

Процесс усиления в общих чертах происходит следующим образом. При отсутствии напряжения сигнала в цепях базы и коллектора текут токи не­которой величины (участка Оа на графиках на рис. 93), определяемые напря­жениями батарей и свойствами транзистора. Как только в цепи базы появ­ляется сигнал, соответственно ему начинают изменяться и токи в цепях транзисто­ра: во время отрицательных полупериодов, когда суммарное отрицательное на­пряжение на базе возрастает, токи цепей увеличиваются, а во время положитель­ных полупериодов, когда напряжения сигнала и элемента Бс противоположны и, следовательно, отрицательное напряжение на базе уменьшается, токи в обеих цепях тоже уменьшаются. Происходит усиление по напряжению и току.

Если во входную цепь, т. е. в цепь базы, подан электрический сигнал звуковой частоты, а нагрузкой выходной — коллекторной — цепи будет телефон, он преобразует усиленный сигнал в звук. Если нагрузкой будет резистор, то создающееся на нем напряжение переменной составляющей усиленного сигнала можно будет подать во входную цепъ второго транзистора для дополни­тельного усиления. Один транзистор м^жет усилить сигнал в 30 — 50 раз.

Точно так же работают и транзисторы структуры п-р-п, только в них основными носителями тока являются не дырки, а электроны. В связи с этим полярность включения элементов и батарей, питающих цепи базы и коллек­торов п-р-п транзисторов, должна быть не такой, как у р-п-р транзисторов, а обратной.

Запомни очень важное обстоятельство: на базу транзистора (относительно эмиттера) вместе с напряжением усиливаемого сигнала обязательно должно подаваться постоянное напряжение, называемое напряжением смещения, откры­вающее транзистор.

В усилителе по схеме на рис. 93 роль источника напряжения смещения выполняет элемент Бс. Для германиевого транзистора структуры р-п-р оно должно быть отрицательным и составлять 0,1—0,2 В, а для транзистора структуры п-р-п — положительным. Для кремниевых транзисторов напряжение смещения со­ставляет 0,5 — 0,7 В. Без начального напряжения смещения эмиттерный р-п пе­реход «срежет», подобно диоду, положительные (р-п-р транзистор) или отрица­тельные (п-р-п транзистор) полуволны сигнала, отчего усиление будет сопровож­даться искажениями. Напряжение смещения на базу не подают лишь в тех слу­чаях, когда эмиттерный переход транзистора используют для детектирования высокочастотного модулированного сигнала.

Обязательно ли для подачи на базу начального напряжения смещения нужен специальный элемент или батарея? Нет, конечно. Для этой цели обычно ис­пользуют напряжение коллекторной батареи, соединяя базу с этим источником питания через резистор. Сопротивление такого резистора чаше подбирают опытным путем, так как оно зависит от свойств данного транзистора.

В начале этой части беседы я сказал, что биполярный транзистор можно представить себе как два включенных встречно плоскостных диода, совмещенных в одной пластинке полупроводника и имеющих один общий катод, роль ко­торого выполняет база транзистора. В этом нетрудно убедиться на опытах, Для которых тебе потребуется любой бывший в употреблении, но не испор­ченный германиевый низкочастотный транзистор структуры р-п-р, например МП39 или подобные ему транзисторы МП40 — МП42. Между коллектором и

базой транзистора включи последовательно соединенные батарею 3336Л и лам­почку от карманного фонаря, рассчитанную на напряжение 2,5 В и ток 0,075 или 0,15 А. Если плюс батареи окажется соединенным (через лампочку) с коллекто­ром, а минус — с базой (рис. 94, а), то лампочка будет гореть. При другой полярности включения батареи (рис. 94,6) лампочка гореть не должна.

Рис. 94. Опыты с транзистором.

Как объяснить эти явления? Сначала на коллекторный р-п переход ты подавал прямое, т. е. пропускное напряжение. В этом случае коллекторный пе­реход открыт, его сопротивление мало и через него течет прямой ток коллек­тора /к. Значение этого тока в данном случае определяется в основном со­противлением нити лампочки и внутренним сопротивлением батареи. При втором включении батареи ее напряжение подавалось на коллекторный переход в об­ратном, непропускном направлении. В этом случае переход закрыт, его сопро­тивление велико и через него течет лишь небольшой обратный ток коллектора. У исправного маломощного низкочастотного транзистора обратный ток коллек­тора IКБо не превышает 30 мкА. Такой ток, естественно, не мог накалить нить лампочки, поэтому она и не горела.

Проведи аналогичный опыт с эмиттерным переходом. Результат будет таким же: при обратном напряжении переход будет закрыт — лампочка не горит, а при прямом напряжении он будет открыт — лампочка горит.

Следующий опыт, иллюстрирующий один из режимов работы транзистора, проводи по схеме, показанной на рис. 95, д. Между эмиттером и коллекто­ром того же транзистора включи последовательно соединенные батарею 3336Л и лампочку накаливания. Положительный полюс батареи должен соединяться с эмиттером, а отрицательный — с коллектором (через нить накала лампочки). Горит лампочка? Нет, не горит. Соедини проволочной перемычкой базу с Эмиттером, как показано на схеме штриховой линией. Лампочка, включенная в кол­лекторную цепь транзистора, тоже не будет гореть. Удали перемычку и вместо нее подключи к этим электродам последовательно соединенные резистор Rq сопротивлением 200 — 300 Ом и один гальванический элемент Эб, например типа 332, но так, чтобы минус элемента был на базе, а плюс — на эмиттере. Теперь лампочка должна гореть. Поменяй местами полярность подключения элемента к этим электродам транзистора. В этом случае лампочка гореть не будет. Повтори несколько раз этот опыт и ты убедишься в том, что лампочка в коллекторной цепи будет гореть только тогда, когда на базе транзистора относительно эмиттера действует отрицательное напряжение.

Разберемся в этих опытах. В первом из них, когда ты, соединив пере­мычкой базу с эмиттером, замкнул накоротко эмиттерный переход, транзистор стал просто диодом, на который подавалось обратное, закрывающее тран­зистор напряжение. Через транзистор шел лишь незначительный обратный ток коллекторного перехода, который не мог накалить нить лампочки. В это время транзистор находился в закрытом состоянии. Затем, удалив перемычку, ты восста­новил эмиттерный переход. Первым включением элемента между базой и эмиттером ты подал па эмиттерный переход прямое напряжение.

Рис. 95. Опыты, иллюстрирующие работу транзистора в режиме переключения (а) и в режиме усиления (б).

Эмиттерный переход открылся, через него пошел прямой ток, который открыл второй переход транзистора — коллекторный. Транзистор оказался открытым и по цепи эмит­тер — база — коллектор пошел ток транзистора, который во много раз больше тока цепи эмиттер — база. Он-то и накалил нить лампочки. Когда же ты изме­нил полярность включения элемента на обратную, то его напряжение закрыло эмиттерный переход, а вместе с тем закрылся и коллекторный переход. При этом ток транзистора почти прекратился (шел только обратный ток коллектора) и лампочка не горела.

В этих опытах транзистор был в одном из двух состояний: открытом или закрытом. Переключение транзистора из одного состояния в другое про­исходило под действием напряжения на базе С/Б. Такой режим работы тран­зистора, проиллюстрированный графиками на рис. 95, я, называют режимом переключения или, что то же самое, ключевым режимом. Такой режим работы транзисторов используют в основном в аппаратуре электронной автоматики.

Какова в этих опытах роль резистора Rб? В принципе этого резистора может и не быть. Я же рекомендовал включить его исключительно для того, чтобы ограничить ток в базовой цепи. Иначе через эмиттерный переход пой­дет слишком большой прямой ток, в результате чего может произойти теп­ловой пробой перехода и транзистор выйдет из строя.

Если бы при проведении этих опытов в базовую и коллекторную цепи были включены измерительные приборы, то при закрытом транзисторе токов в его цепях почти не было бы. При открытом же транзисторе ток базы Iб был бы не более 2 — 3 мА, а ток коллектора Iк составлял 60 — 75 мА. Это означает, что транзистор может быть усилителем тока.

В приемниках и усилителях звуковой частоты транзисторы работают в режиме усиления. Этот режим отличается от режима переключения тем, что, используя малые токи в базовой цепи, мы можем управлять значительно большими токами в коллекторной цепи транзистора.

Иллюстрировать работу транзистора в режиме усиления можно таким опы­том (рис. 95,6). В коллекторную цепь транзистора Т включи электромагнит­ный телефон Тф, а между базой и минусом источника питания Б— резистор Rб сопротивлением 200 —250 кОм. Второй телефон Тф1 включи между базой и эмиттером через конденсатор связи С8 емкостью 0,1 —0,5 мкФ. У тебя получится простейший усилитель, который может выполнять, например, роль односторон­него телефонного аппарата. Если твой приятель будет негромко говорить перед телефоном, включенным на вход усилителя, его разговор ты будешь слышать в телефонах, включенных на выходе усилителя.

Какова роль резистора R6 в этом усилителе? Через него на базу тран­зистора от батареи питания Б подается небольшое начальное напряжение смещения, открывающее транзистор и тем самым обеспечивающее ему работу в режиме усиления. На вход усилителя вместо телефона Тф1 можно включить звукосниматель и проиграть грампластинку. Тогда в телефонах Тф2 будут хорошо слышны звуки мелодии или голос певца, записанные на грампластинку.

В этом опыте на вход усилителя подавалось переменное напряжение зву­ковой частоты, источником которого был телефон, преобразующий, как мик­рофон, звуковые колебания в электрические, или звукосниматель, преобразую­щий механические колебания его иглы в электрические колебания. Это напряжение создавало в цепи эмиттер — база слабый переменный ток, управляющий значи­тельно большим током в коллекторной цепи; при отрицательных полуперио­дах на базе коллекторный ток увеличивался, а при положительных — умень­шался (см. графики на рис. 95,6). Происходило усиление сигнала, а усиленный транзистором сигнал преобразовывался телефоном, включенным в цепь коллек­тора, в звуковые колебания. Транзистор работал в режиме усиления.

Аналогичные опыты ты можешь провести и с транзистором структуры п-р-п, например типа МП35. В этом случае надо только изменить полярность включения источника питания транзистора: с эмиттером должен соединяться минус, а с коллектором (через телефон) — плюс батареи.

Коротко об электрических параметрах биполярных транзисторов. Качество и усилительные свойства биполярных транзисторов оценивают по нескольким параметрам, которые измеряют с помощью специальных приборов. Тебя же, с практической точки зрения, в первую очередь должны интересовать три ос­новных параметра: обратный ток коллектора Iкбо — статический коэффициент передачи тока h21э (читают так: аш два один э) и граничная частота коэффициента передачи тока fгр.

Обратный ток коллектора Iкбо — это неуправляемый ток через коллектор­ный р-п переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Параметр Iкбо характеризует качество транзистора: чем он меньше, тем выше качество транзистора. У маломощных низкочастотных транзисторов, например типов МП39 — МП42, IКБО не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных транзисторов — не более 5 мкА. Транзисторы с большими зна­чениями IКБО в работе неустойчивы.

Статический коэффициент передачи тока h21Э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Большая (заглавная) буква «Э» в этом выражении указывает на то, что при измерении транзистор включают по схеме с общим эмиттером (о схемах включения транзистора я расскажу в следующей беседе). Коэффициент

h21э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор — эмит­тер и токе эмиттера. Чем больше численное значение коэффициента h21э» тем большее усиление сигнала может обеспечить данный транзнстор.

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, выраженная в килогерцах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Граничная частота fгр транзис­торов МП39, например, 500 кГц, а транзисторов П401 — П403 — больше 30 МГц. Практически транзисторы используют для усиления частот значительно меньше граничных, так как с повышением частоты коэффициент передачи тока h21Э транзистора уменьшается.

В практической работе надо учитывать и такие параметры, как мак­симально допустимое напряжение коллектор — эмиттер, максимально допустимый ток коллектора, а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора Транзистора — мощность, превращающуюся внутри транзистора в тепло.

Основные сведения о маломощных транзисторах массового применения ты найдешь в прилож. 4.

Теперь поговорим о полевом транзисторе.

Рис. 96. Схематическое устройство, графическое изображение и конструкция полевого транзистора с каналом p-типа.

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществля­ется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и наз­вание транзистора «полевой».

Схема устройства и конструкции полевого транзистора с р-п переходом показаны на рис. 96. Основой такого транзистора является пластинка кремния с электропроводностью n-типа, в которой имеется тонкая область с электро­проводностью p-типа. Пластинку прибора называют затвором, а область p-типа в ней — каналом. С обеих сторон канал заканчивается истоком и стоком — тоже областями p-типа, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р-п переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы.

* В популярной радиотехнической литературе выпуска предыдущих лет усилительные свойства транзисторов оценивались статическим коэффициентом усиления Вст. Численно коэффициент Вст равен коэффициенту h21э.

Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи (на рис. 96 — батарея Б), то в канале возникнет электрический ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источиком и затвором (на рис. 96 — элемент Э). И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положи­тельное закрывающее напряжение, обедненная область р-п перехода расширяется (на рис. 96 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его со­противление увеличивается, а ток стока уменьшается. С уменьшением положитель­ного напряжения на затворе обедненная область р-п перехода, наоборот, су­жается, канал расширяется, а ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высо­кочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала.

Так (изложено в упрощенном виде) устроены и работают полевые тран­зисторы с каналом р-типа, например транзисторы КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»).

Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом n-типа. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропро­водностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицатель­ное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положитель­ное напряжение источника питания цепи истока.

На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом л-типа стрелка на линии затвора направлена в сторону истока (а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом p-типа).

Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной ха­рактеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Численное значение параметра S измеряется в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1—0,2 до 10 —15 и больше. Чем больше значение этого параметра, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки UЗИотс. Это обратное напряжение на р-п переходе затвор — канал, при котором ток через этот период уменьшается до нуля. Для транзисторов различных типов напряже­ние отсечки может быть 0,5 — 10 В.

Эти параметры, а также предельно допустимые режимы работы некоторых полевых транзисторов широкого применения сведены в табл. 5 (в конце книги).

В. Г. Борисов. Юный Радиолюбитель